Установка предназначена для выращивания высокотемпературных оксидных монокристаллов методом Чохральского.
Примечание. Установка может быть выполнена с индукционным или резистивным нагревом.
Технические характеристики:
Максимальные размеры выращиваемого кристалла, мм:
диаметр 140
длина 300
Внутренние размеры рабочей камеры, мм:
диаметр 600
высота 1200
Остаточное давление в рабочей камере 7,5 х10-4 мм.рт.ст.
Расход газов в камере:
аргон- 0,4…1,2 м3/ч
кислород- 0,008…0,024 м3/ч
Привод перемещения штока обеспечивает:
рабочую скорость 0,2…20 мм/ч
скорость установочного перемещения 20…200 мм/мин
рабочий ход вытягивания 500 ± 10 мм
Габаритные размеры установки, мм:
длина 1835
ширина 1410
высота 2745
Масса - 1370 кг.
